- Titre
- Ge Addition during 4H-SiC Epitaxial Growth by CVD: Mechanism of Incorporation
- Créateurs - sans rôle
- Véronique Soulière - Laboratoire des Multimatériaux et InterfacesKassem Alassaad - Laboratoire des Multimatériaux et InterfacesFrançois Cauwet - Laboratoire des Multimatériaux et InterfacesHervé Peyre - Université de Montpellier, Laboratoire Charles Coulomb - L2CThomas Kups - Institut für Mikro- und NanotechnologienJörg Pezoldt - Institut für Mikro- und NanotechnologienPawel Kwasnicki - Université de Montpellier, Laboratoire Charles Coulomb - L2CGabriel Ferro - Laboratoire des Multimatériaux et Interfaces
- Détails de publication
- 10th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials, Vol.821-823, pp.115-120
- Colloque
- 10th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (Grenoble, France, 09/2014)
- Identifiants
- 99151679209311
- Unité académique
- Laboratoire Charles Coulomb - L2C
- Langue
- English
- Type de ressource
- Conference proceeding
- Champs locaux
- hal-02025347
Acte de colloque
Ge Addition during 4H-SiC Epitaxial Growth by CVD: Mechanism of Incorporation
10th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials, Vol.821-823, pp.115-120
10th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (Grenoble, France, 09/2014)
06/2015
Indicateurs
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