Résumé
Single Event Burnout and Gate Rupture are catastrophic failures due to cosmic rays that can be occurring simultaneously. It is shown that biased negatively the gate leads to a substantial increase of SEB cross section.
- Titre
- Gate voltage contribution to neutron-induced SEB of Trench Gate Fieldstop IGBT
- Créateurs - sans rôle
- Lionel Foro - Centre National de la Recherche ScientifiqueAntoine Touboul - Université de MontpellierFrédéric Wrobel - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IESPaolo Rech - Universidade Federal do Rio Grande do SulLuigi Dilillo - Centre National de la Recherche ScientifiqueChristopher Frost - Rutherford Appleton LaboratoryFrédéric Saigné - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IES
- Détails de publication
- 14th European Conference on Radiation and Its Effects on Components and Systems
- Colloque
- RADECS: Radiation and Its Effects on Components and Systems (Oxford, United Kingdom, 23/09/2013–27/09/2013)
- Identifiants
- 9942614409311
- Unité académique
- Institut d'Electronique et des Systèmes - IES; Laboratoire d'Informatique de Robotique et de Microélectronique de Montpellier - LIRMM
- Langue
- English
- Type de ressource
- Conference proceeding
- Champs locaux
- lirmm-01237617