- Titre
- Gate and drain low frequency noise in HfO2 NMOSFETs
- Créateurs - sans rôle
- T. Nguyen - Laboratoire d'Informatique, de Robotique et de Microélectronique de MontpellierM. Valenza - Laboratoire d'Informatique, de Robotique et de Microélectronique de MontpellierFrédéric Martinez - Centre d'Electronique et de Micro-optoélectronique de MontpellierGuillaume Neau - Laboratoire d'Informatique, de Robotique et de Microélectronique de MontpellierJ.-C. Vildeuil - STMicroelectronics [Crolles]J. C. RibesV. CosnierT. SkotnickiM Muller
- Détails de publication
- International Conference on Noise and Fluctuations, pp.235-238
- Colloque
- International Conference on Noise and Fluctuations (Salamanca (Spain), Spain, 2005)
- Identifiants
- 9943016509311
- Unité académique
- Université de Montpellier
- Langue
- English
- Type de ressource
- Conference proceeding
- Champs locaux
- hal-02066806
Acte de colloque
Gate and drain low frequency noise in HfO2 NMOSFETs
International Conference on Noise and Fluctuations, pp.235-238
International Conference on Noise and Fluctuations (Salamanca (Spain), Spain, 2005)
Indicateurs
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