- Titre
- Gate Grounded n-MOS Sensibility to Ionizing Dose
- Créateurs - sans rôle
- T. Borel - Epicentre [Paris] [Médecins Sans Frontières]A. Michez - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IESS. FuricE. Leduc - Atmel CorporationJ. Boch - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IESAntoine Touboul - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IESB. Azais - Direction Générale de l'ArmementS. Danzeca - European Organization for Nuclear ResearchL. Dusseau - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IES
- Colloque
- IEEE RADECS2018 (Goteborg, Sweden, 2018)
- Identifiants
- 9976233209311
- Unité académique
- Centre Spatial de l'Université de Montpellier - CSUM; Institut d'Electronique et des Systèmes - IES
- Langue
- English
- Type de ressource
- Conference proceeding
- Champs locaux
- hal-02022573
Acte de colloque
Gate Grounded n-MOS Sensibility to Ionizing Dose
IEEE RADECS2018 (Goteborg, Sweden, 2018)
Indicateurs
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