GaSb-based microcavity EP-VCSEL emitting above 2.2 mu m in CW regime at RT

A. Ducanchez; L. Cerutti; P. Grech; F. Genty; IEEE

doi:10.1109/ISLC.2008.4635999

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Acte de colloque

GaSb-based microcavity EP-VCSEL emitting above 2.2 mu m in CW regime at RT

A. Ducanchez, L. Cerutti, P. Grech, F. Genty et IEEE

2008 IEEE 22nd International Semiconductor Laser Conference, pp.41-42

01/01/2008

DOI: https://doi.org/10.1109/ISLC.2008.4635999

Résumé

Engineering

Engineering, Electrical & Electronic

Optics

Physical Sciences

Science & Technology

Technology

Monolithic microcavity GaSb-based VCSELs emitting above 2.2 mu m in Continuous Wave Regime at Room Temperature are reported. For 60 mu m diameter devices, a density threshold of 1.1 kA/cm(2) was measured at 290K.

Indicateurs

1 Consultations de la notice

Détails

Titre: GaSb-based microcavity EP-VCSEL emitting above 2.2 mu m in CW regime at RT
Créateurs - sans rôle: A. Ducanchez - Institut d'Électronique et des Systèmes
L. Cerutti - Univ Montpellier 2, CNRS, IES, UMR 5214, F-34095 Montpellier 05, France
P. Grech - Institut d'Électronique et des Systèmes
F. Genty - Univ Montpellier 2, CNRS, IES, UMR 5214, F-34095 Montpellier 05, France
IEEE
Détails de publication: 2008 IEEE 22nd International Semiconductor Laser Conference, pp.41-42
Éditeur: IEEE
Nombre de pages: 2
Identifiants: 99139273709311
Unité académique: Institut d'Electronique et des Systèmes - IES
Langue: English
Type de ressource: Conference proceeding