- Titre
- GaSb-based lasers epitaxially grown on Si
- Créateurs - sans rôle
- E. Tournié - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IESL. Cerutti - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IESJ.-B. Rodriguez - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IESA. Castellano - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IESG. Narcy - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IESM. NiehleG. Patriarche - Laboratoire de Photonique et de NanostructuresA. Trampert - Paul-Drude-Institut für Festkörperelektronik
- Colloque
- E-MRS Fall meeting, Symposium (Warsaw, Poland, 2017)
- Identifiants
- 9943217809311
- Unité académique
- Institut d'Electronique et des Systèmes - IES
- Langue
- English
- Type de ressource
- Conference proceeding
- Champs locaux
- hal-01905141
Acte de colloque
GaSb-based lasers epitaxially grown on Si
E-MRS Fall meeting, Symposium (Warsaw, Poland, 2017)
Indicateurs
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