- Titre
- GaSb based, 1.55 µm laser monolithically integrated on Silicon substrate operating at room temperature
- Créateurs - sans rôle
- L. Cerutti - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IESJ.-B. Rodriguez - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IESEric Tournié - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IES
- Colloque
- IEEE Indium Phosphide and Related Materials (IPRM) 2010 (Kagawa, Japan, 2010)
- Identifiants
- 9946883709311
- Unité académique
- Institut d'Electronique et des Systèmes - IES
- Langue
- English
- Type de ressource
- Conference proceeding
- Champs locaux
- hal-01828237
Acte de colloque
GaSb based, 1.55 µm laser monolithically integrated on Silicon substrate operating at room temperature
IEEE Indium Phosphide and Related Materials (IPRM) 2010 (Kagawa, Japan, 2010)
Indicateurs
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