GaSb VCSEL with III-As metamorphic confinement layer grown by molecular beam epitaxy

Acte de colloque

Laurent Cerutti, Youness Laaroussi, Dorian Sanchez, Christophe Levallois, Cyril Paranthoën et Guilhem Almuneau

euro-MBE conference, pp.240-241

euro-MBE conference (Levi, Finland, 10/03/2013–13/03/2013)

Résumé

GaSb

VCSEL

Mid-Infrared

AlOx

Bragg reflectors

Thermal Wet Oxidattion

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Titre: GaSb VCSEL with III-As metamorphic confinement layer grown by molecular beam epitaxy
Créateurs - sans rôle: Laurent Cerutti - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IES
Youness Laaroussi - Équipe Photonique
Dorian Sanchez - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IES
Christophe Levallois - Fonctions Optiques pour les Technologies de l’information
Cyril Paranthoën - Fonctions Optiques pour les Technologies de l’information
Guilhem Almuneau - Équipe Photonique
Détails de publication: euro-MBE conference, pp.240-241
Colloque: euro-MBE conference (Levi, Finland, 10/03/2013–13/03/2013)
Note de subvention: 17073
Identifiants: 9935914009311
Unité académique: Institut d'Electronique et des Systèmes - IES
Langue: English
Type de ressource: Conference proceeding
Champs locaux: hal-00955685