- Titre
- Experimental validation of an accelerated method of oxyde trap-level characterization for predicting long term thermal effects in MOS devices
- Créateurs - sans rôle
- Frédéric Saigné - Centre d'Electronique et de Micro-optoélectronique de MontpellierL. Dusseau - Centre d'Electronique et de Micro-optoélectronique de MontpellierJ. Fesquet - Centre d'Electronique et de Micro-optoélectronique de MontpellierJ. Gasiot - Centre d'Electronique et de Micro-optoélectronique de MontpellierR. EcoffetJ.P. David - ONERA - The French Aerospace Lab [Toulouse]R.D. Schrimpf - Vanderbilt UniversityK.F. Galloway
- Colloque
- 34th IEEE Nuclear Space and Radiation Effects Conference (Snowmass, United States, 1997)
- Identifiants
- 9946472609311
- Unité académique
- Université de Montpellier
- Langue
- English
- Type de ressource
- Conference proceeding
- Champs locaux
- hal-01803580
Acte de colloque
Experimental validation of an accelerated method of oxyde trap-level characterization for predicting long term thermal effects in MOS devices
34th IEEE Nuclear Space and Radiation Effects Conference (Snowmass, United States, 1997)
Indicateurs
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