- Titre
- Experimental Procedure to Predict the Competition Between the Degradation Induced by the Irradiation and the Thermal Annealing of Oxide Trapped Charge on Commercial MOSFET Devices
- Créateurs - sans rôle
- Frédéric Saigné - Centre de Recherche en Sciences et Technologies de l'Information et de la CommunicationL. Dusseau - Centre d'Electronique et de Micro-optoélectronique de MontpellierJ. Fesquet - Centre d'Electronique et de Micro-optoélectronique de MontpellierJ. Gasiot - Centre d'Electronique et de Micro-optoélectronique de MontpellierR. Ecoffet - Centre National d'Études Spatiales
- Colloque
- 37th IEEE Nuclear Space and Radiation Effects Conference (Reno, United States, 2000)
- Identifiants
- 9939056009311
- Unité académique
- Université de Montpellier
- Langue
- English
- Type de ressource
- Conference proceeding
- Champs locaux
- hal-01803908
Acte de colloque
Experimental Procedure to Predict the Competition Between the Degradation Induced by the Irradiation and the Thermal Annealing of Oxide Trapped Charge on Commercial MOSFET Devices
37th IEEE Nuclear Space and Radiation Effects Conference (Reno, United States, 2000)
Indicateurs
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