Exciton binding energies and energy splittings in aluminium nitride bulk and epilayers

Acte de colloque

Bernard Gil, Didier Felbacq, Brahim Guizal et Guy Bouchitté

SPIE PHOTONICS West Gallium Nitride Materials and Devices VI SPIE 7939 (San francisco, France, 24/01/2011–27/01/2011)

Résumé

Exciton wurtzitic semiconductors

We review strain effects on excitonic energies in AlN

url

Find in HALAfficher

1 Consultations de la notice

Titre: Exciton binding energies and energy splittings in aluminium nitride bulk and epilayers
Créateurs - sans rôle: Bernard Gil - Groupe d'étude des semiconducteurs
Didier Felbacq - Groupe d'étude des semiconducteurs
Brahim Guizal - Groupe d'étude des semiconducteurs
Guy Bouchitté - Institut de Mathématiques de Toulon
Colloque: SPIE PHOTONICS West Gallium Nitride Materials and Devices VI SPIE 7939 (San francisco, France, 24/01/2011–27/01/2011)
Identifiants: 9942121809311
Unité académique: Laboratoire Charles Coulomb - L2C
Langue: English
Type de ressource: Conference proceeding
Champs locaux: hal-00633667