- Titre
- Evaluation of Interface Trap Density in Advanced SOI MOSFETs
- Créateurs - sans rôle
- Mayline Bawedin - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IESSorin Cristoloveanu - Institut de Microélectronique, Electromagnétisme et PhotoniqueSungjae Chang - Institut de Microélectronique, Electromagnétisme et PhotoniqueMatteo Valenza - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IESFrédéric Martinez - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IESJonghyun Lee
- Détails de publication
- 219th ECS Meeting, pp.103-108
- Colloque
- 219th ECS Meeting (Montreal, Canada, 2011)
- Identifiants
- 9943015009311
- Unité académique
- Institut d'Electronique et des Systèmes - IES
- Langue
- English
- Type de ressource
- Conference proceeding
- Champs locaux
- hal-02066785
Acte de colloque
Evaluation of Interface Trap Density in Advanced SOI MOSFETs
219th ECS Meeting, pp.103-108
219th ECS Meeting (Montreal, Canada, 2011)
Indicateurs
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