- Titre
- Emission properties of basal stacking faults in a-plane gallium nitride
- Créateurs - sans rôle
- P. Corfdir - Institut de Photonique et d'Electronique QuantiquesPierre Lefebvre - Institut de Photonique et d'Electronique QuantiquesJ. Levrat - Institut de Photonique et d'Electronique QuantiquesAmélie Dussaigne - Institut de Photonique et d'Electronique QuantiquesJ. Ristic - Institut de Photonique et d'Electronique QuantiquesT. Zhu - Institut de Photonique et d'Electronique QuantiquesJean-Daniel Ganière - Institut de Photonique et d'Electronique QuantiquesN. Grandjean - Institut de Photonique et d'Electronique QuantiquesBenoit Deveaud-Plédran - Institut de Photonique et d'Electronique Quantiques
- Colloque
- 9th International Workshop on Beam Injection Assessment of Microstructures in Semiconductors. BIAMS 2008 (Tolède, Spain, 25/06/2008)
- Identifiants
- 9945322209311
- Unité académique
- Université de Montpellier
- Langue
- English
- Type de ressource
- Conference proceeding
- Champs locaux
- hal-00390009
Acte de colloque
Emission properties of basal stacking faults in a-plane gallium nitride
9th International Workshop on Beam Injection Assessment of Microstructures in Semiconductors. BIAMS 2008 (Tolède, Spain, 25/06/2008)
Indicateurs
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