- Titre
- Emission Control of InGaN Nanocolumns on Si(111) substrates Grown by MBE .
- Créateurs - sans rôle
- Steven Albert - Instituto de Sistemas Optoelectrónicos y MicrotecnologíaPierre Lefebvre - Laboratoire Charles CoulombJ. Grandal - Instituto de Sistemas Optoelectrónicos y MicrotecnologíaM.A. Sanchez-Garcia - Instituto de Sistemas Optoelectrónicos y MicrotecnologíaE. Calleja - Instituto de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología
- Colloque
- 9th International Conference on Nitride Semiconductors - ICNS9. (Glasgow, United Kingdom, 10/07/2011–15/07/2011)
- Identifiants
- 9944613309311
- Unité académique
- Laboratoire Charles Coulomb - L2C
- Langue
- English
- Type de ressource
- Conference proceeding
- Champs locaux
- hal-00631744
Acte de colloque
Emission Control of InGaN Nanocolumns on Si(111) substrates Grown by MBE .
9th International Conference on Nitride Semiconductors - ICNS9. (Glasgow, United Kingdom, 10/07/2011–15/07/2011)
Indicateurs
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