- Titre
- Electronic noise in high electron-mobility transistors under photo-excitation conditions
- Créateurs - sans rôle
- H. Marinchio - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IESG. Sabatini - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IESL. Varani - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IESC. Palermo - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IESP. Shiktorov - Institute of Semiconductor PhysicsE. Starikov - Institute of Semiconductor PhysicsV. Gružinskis - Institute of Semiconductor PhysicsP. Ziadé - Lebanese UniversityZ. Kallassy - Lebanese University
- Contributeurs - sans rôle
- M. Macucci and G. Basso
- Détails de publication
- AIP Conference Proceedings, pp.321-324
- Colloque
- NOISE AND FLUCTUATIONS: 20th International Conference on Noice and Fluctuations (ICNF-2009) (Pisa, Italy, 2009)
- Publications en série
- AIP Conference Proceedings
- Identifiants
- 9945956109311
- Unité académique
- Institut d'Electronique et des Systèmes - IES
- Langue
- English
- Type de ressource
- Conference proceeding
- Champs locaux
- hal-02443038
Acte de colloque
Electronic noise in high electron-mobility transistors under photo-excitation conditions
AIP Conference Proceedings, pp.321-324
AIP Conference Proceedings
NOISE AND FLUCTUATIONS: 20th International Conference on Noice and Fluctuations (ICNF-2009) (Pisa, Italy, 2009)
2009
Indicateurs
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