Electrical Transport Properties of Highly Aluminum Doped p-Type 4H-SiC

Acte de colloque

Sylvie Contreras, Leszek Konczewicz, Pawel Kwasnicki, Roxana Arvinte, Herve Peyre, Thierry Chassagne, Marcin Zielinski, Maria Kayambaki, Sandrine Juillaguet et Konstantinos Zekentes

Material Sciences Forum, Vol.858, pp.249 - 252

16th International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (Catane, Italy, 05/10/2015)

05/2016

Résumé

Electrical Transport Properties of Highly Aluminum Doped p-Type 4H-SiC

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Titre: Electrical Transport Properties of Highly Aluminum Doped p-Type 4H-SiC
Créateurs - sans rôle: Sylvie Contreras - Université de Montpellier, Laboratoire Charles Coulomb - L2C
Leszek Konczewicz - Université de Montpellier, Laboratoire Charles Coulomb - L2C
Pawel Kwasnicki - Université de Montpellier, Laboratoire Charles Coulomb - L2C
Roxana Arvinte
Herve Peyre - Université de Montpellier, Laboratoire Charles Coulomb - L2C
Thierry Chassagne - NOVASiC (France)
Marcin Zielinski - NOVASiC (France)
Maria Kayambaki
Sandrine Juillaguet - Université de Montpellier, Laboratoire Charles Coulomb - L2C
Konstantinos Zekentes
Détails de publication: Material Sciences Forum, Vol.858, pp.249 - 252
Colloque: 16th International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (Catane, Italy, 05/10/2015)
Identifiants: 9940575209311
Unité académique: Laboratoire Charles Coulomb - L2C
Langue: English
Type de ressource: Conference proceeding
Champs locaux: hal-01936580