Electrical Modeling of LSCRs in Deep Submicron CMOS Technologies for Circuit-Level Simulation of ESD

Benjamin Caillard; Florence Azaïs; Pascal Nouet; Stéphanie Dournelle; Pascal Salomé

doi:10.1109/BIPOL.2003.1274943

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Acte de colloque

Electrical Modeling of LSCRs in Deep Submicron CMOS Technologies for Circuit-Level Simulation of ESD

Benjamin Caillard, Florence Azaïs, Pascal Nouet, Stéphanie Dournelle et Pascal Salomé

BCTM 2003 - Bipolar/BiCMOS Circuits and Technology Meeting, pp.97-100

BCTM 2003 - Bipolar/BiCMOS Circuits and Technology Meeting (Toulouse, France, 28/09/2003–30/09/2003)

2003

DOI: https://doi.org/10.1109/BIPOL.2003.1274943

Résumé

This paper presents an electrical model of a parasitic LSCR that represents the inner currents before and after triggering. It relies on the standard LSCR model before triggering, and on a PiN diode model for the post-triggering behaviour. As an illustration, the model has been validated against silicon in both 0.18/spl mu/m and 0.13/spl mu/m technologies.

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Détails

Titre: Electrical Modeling of LSCRs in Deep Submicron CMOS Technologies for Circuit-Level Simulation of ESD
Créateurs - sans rôle: Benjamin Caillard - Université de Montpellier, Laboratoire d'Informatique de Robotique et de Microélectronique de Montpellier - LIRMM
Florence Azaïs - Conception et Test de Systèmes MICroélectroniques
Pascal Nouet - Conception et Test de Systèmes MICroélectroniques
Stéphanie Dournelle - Université de Montpellier, Laboratoire d'Informatique de Robotique et de Microélectronique de Montpellier - LIRMM
Pascal Salomé - Université de Montpellier, Laboratoire d'Informatique de Robotique et de Microélectronique de Montpellier - LIRMM
Détails de publication: BCTM 2003 - Bipolar/BiCMOS Circuits and Technology Meeting, pp.97-100
Colloque: BCTM 2003 - Bipolar/BiCMOS Circuits and Technology Meeting (Toulouse, France, 28/09/2003–30/09/2003)
Identifiants: 9944878309311
Unité académique: Laboratoire d'Informatique de Robotique et de Microélectronique de Montpellier - LIRMM
Langue: English
Type de ressource: Conference proceeding
Champs locaux: lirmm-00269608