- Titre
- Efficient GaInSbAs/GaSb type II quantum well room temperature cw lasers
- Créateurs - sans rôle
- Dmitri Yarekha - Centre d'Electronique et de Micro-optoélectronique de MontpellierJ. -L. DelorG. GlastreY. Rouillard - Centre d'Electronique et de Micro-optoélectronique de MontpellierE. M. Skouri - Centre d'Electronique et de Micro-optoélectronique de MontpellierG. Boissier - Centre d'Electronique et de Micro-optoélectronique de MontpellierP. Grech - Centre d'Electronique et de Micro-optoélectronique de MontpellierF. Genty - Centre d'Electronique et de Micro-optoélectronique de MontpellierA. Joullié - Centre d'Electronique et de Micro-optoélectronique de MontpellierA. N. Baranov - Centre d'Electronique et de Micro-optoélectronique de Montpellier
- Colloque
- 3rd International Conference on Mid-infrared Optoelectronics Materials and Devices (MIOMD) (Aachen, Germany, 1999)
- Identifiants
- 9943136409311
- Unité académique
- Université de Montpellier
- Langue
- English
- Type de ressource
- Conference proceeding
- Champs locaux
- hal-01798958
Acte de colloque
Efficient GaInSbAs/GaSb type II quantum well room temperature cw lasers
3rd International Conference on Mid-infrared Optoelectronics Materials and Devices (MIOMD) (Aachen, Germany, 1999)
Indicateurs
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