- Titre
- Effects of Total Ionizing Dose on I-V and Low Frequency Noise characteristics in advanced Si/SiGe:C Heterojunction Bipolar Transistors
- Créateurs - sans rôle
- J. Elbeyrouthy - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IESA. Vauthelin - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IESM. Seif - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IESBruno Sagnes - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IESF. Pascal - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IESAlain Hoffmann - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IESM. Valenza - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IESJ. Boch - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IESTadec Maraine - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IESSebastien Haendler - STMicroelectronics (France)Alexis Gauthier - STMicroelectronics (France)Pascal Chevalier - STMicroelectronics (France)Daniel Gloria - STMicroelectronics (France)
- Colloque
- RADECS 2019, 30th European Conference on Radiation and its Effects on Components and Systems (Montpellier, France, 16/09/2019–20/09/2019)
- Identifiants
- 9939569009311
- Unité académique
- Institut d'Electronique et des Systèmes - IES
- Langue
- English
- Type de ressource
- Conference proceeding
- Champs locaux
- hal-02380234
Acte de colloque
Effects of Total Ionizing Dose on I-V and Low Frequency Noise characteristics in advanced Si/SiGe:C Heterojunction Bipolar Transistors
RADECS 2019, 30th European Conference on Radiation and its Effects on Components and Systems (Montpellier, France, 16/09/2019–20/09/2019)
Indicateurs
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