- Titre
- Effect of thin-film VO2 as a hole blocking layer for improving photoelectrochemical performance of Mo-BiVO4 photoanode
- Créateurs - sans rôle
- Asad Mirzaei - Institut National de la Recherche ScientifiqueRaphael Costes - Université de Montpellier, Institut Européen des Membranes - IEMZ Shayegan - Institut National de la Recherche ScientifiqueAyman El-Hattab - Institut National de la Recherche ScientifiqueStéphanie Roualdès - Université de Montpellier, Institut Européen des Membranes - IEMM Chaker - Institut National de la Recherche Scientifique
- Colloque
- 31st International Materials Research Congress (A9. Challenges Materials Technologies Energy Conversion, Saving Storage - MATECSS) (Cancun, Mexico, 13/08/2023–18/08/2023)
- Identifiants
- 9946777809311
- Unité académique
- Institut Européen des Membranes - IEM
- Langue
- English
- Type de ressource
- Conference proceeding
- Champs locaux
- hal-04604960
Acte de colloque
Effect of thin-film VO2 as a hole blocking layer for improving photoelectrochemical performance of Mo-BiVO4 photoanode
31st International Materials Research Congress (A9. Challenges Materials Technologies Energy Conversion, Saving Storage - MATECSS) (Cancun, Mexico, 13/08/2023–18/08/2023)
Indicateurs
1 Consultations de la notice