- Titre
- Effect of growth parameters on the surface morphology of 3C-SiC homoepitaxial layers grown by chemical vapor deposition
- Créateurs - sans rôle
- N. Jegenyes - Laboratoire des Multimatériaux et InterfacesJean Lorenzi - Laboratoire des Multimatériaux et InterfacesGeorgios Zoulis - Groupe d'étude des semiconducteursVéronique Soulière - Laboratoire des Multimatériaux et InterfacesJacques Dazord - Laboratoire des Multimatériaux et InterfacesSandrine Juillaguet - Groupe d'étude des semiconducteursGabriel Ferro - Laboratoire des Multimatériaux et Interfaces
- Colloque
- International workshop on 3C-SiC hetero-epitaxy (HeteroSiC '09) (Catane, Italy, 2009)
- Identifiants
- 9942582509311
- Unité académique
- Université de Montpellier
- Langue
- English
- Type de ressource
- Conference proceeding
- Champs locaux
- hal-00390782
Acte de colloque
Effect of growth parameters on the surface morphology of 3C-SiC homoepitaxial layers grown by chemical vapor deposition
International workshop on 3C-SiC hetero-epitaxy (HeteroSiC '09) (Catane, Italy, 2009)
Indicateurs
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