- Titre
- Effect of asymmetric interface profile on the electronic properties of InAs/GaSb/InSb short-period superlattice structures
- Créateurs - sans rôle
- S. Ben RejebM. Debbichi - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IESM. SaîdA. Gassenq - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IESE. Tournié - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IESPhilippe Christol - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IES
- Colloque
- International Conference on Nano-Materials and Renewable Energie (Safi, Morocco, 2010)
- Identifiants
- 9945130409311
- Unité académique
- Institut d'Electronique et des Systèmes - IES
- Langue
- English
- Type de ressource
- Conference proceeding
- Champs locaux
- hal-01830997
Acte de colloque
Effect of asymmetric interface profile on the electronic properties of InAs/GaSb/InSb short-period superlattice structures
International Conference on Nano-Materials and Renewable Energie (Safi, Morocco, 2010)
Indicateurs
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