- Titre
- Effect of Oxide Thickness and Nitridation Process on PMOS Gate and Drain Low Frequency Noise
- Créateurs - sans rôle
- Frédéric Martinez - Centre d'Electronique et de Micro-optoélectronique de MontpellierC Leyris - Centre d'Electronique et de Micro-optoélectronique de MontpellierMatteo Valenza - Centre d'Electronique et de Micro-optoélectronique de MontpellierAlain Hoffmann - Centre d'Electronique et de Micro-optoélectronique de MontpellierF BoeufThomas SkotnickiM BidaudD BargeB Tavel
- Détails de publication
- International Conference on Noise and Fluctuations, pp.323-326
- Colloque
- International Conference on Noise and Fluctuations (Salamanca (Spain), Spain, 2005)
- Identifiants
- 9942988909311
- Unité académique
- Institut d'Electronique et des Systèmes - IES
- Langue
- English
- Type de ressource
- Conference proceeding
- Champs locaux
- hal-02066777
Acte de colloque
Effect of Oxide Thickness and Nitridation Process on PMOS Gate and Drain Low Frequency Noise
International Conference on Noise and Fluctuations, pp.323-326
International Conference on Noise and Fluctuations (Salamanca (Spain), Spain, 2005)
Indicateurs
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