Résumé
The effect of dose on NPN bipolar junction transistors is investigated for irradiation performed at low temperatures. Degradation of forward-Gummel curves and current gain is shown and discussed in terms of physical mechanisms.
- Titre
- Effect of Low Temperatures Irradiation on NPN Bipolar Junction Transistors
- Créateurs - sans rôle
- Jason Dardié - Institut d'Électronique et des SystèmesJérôme Boch - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IESAlain Michez - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IESCathy Guasch - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IESSamir Bouisri - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IESFrédéric Saigné - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IESFrancoise Bezerra - Centre National d'Études SpatialesJean-Luc Favre - TMI-ORION
- Colloque
- IEEE RADECS2019 (Montpellier, France, 16/09/2019–20/09/2019)
- Identifiants
- 9942976909311
- Unité académique
- Institut d'Electronique et des Systèmes - IES
- Langue
- English
- Type de ressource
- Conference proceeding
- Champs locaux
- hal-02307353