- Titre
- EFM/AFM studies of laser diodes for 2.6 – 3.5 µm range with InSb/InAs/GaSb superlattice in active area: design and principal properties
- Créateurs - sans rôle
- A. N. TitkovA. V. AnkudinovM. S. DunaevskiiK. S. LadutenkoV. P. EvtikvhievN. Deguffroy - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IESA. N. Baranov - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IESE. Tournié - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IESB. SatpatiA. Trampert - Paul-Drude-Institut für Festkörperelektronik
- Colloque
- XII International Symposium on Nanophysics and Nanoelectronics (Nizhny Novgorod, Russia, 2008)
- Identifiants
- 9945103909311
- Unité académique
- Institut d'Electronique et des Systèmes - IES
- Langue
- English
- Type de ressource
- Conference proceeding
- Champs locaux
- hal-01826457
Acte de colloque
EFM/AFM studies of laser diodes for 2.6 – 3.5 µm range with InSb/InAs/GaSb superlattice in active area: design and principal properties
XII International Symposium on Nanophysics and Nanoelectronics (Nizhny Novgorod, Russia, 2008)
Indicateurs
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