Dry Etching of High [Al] AlGaAsSb Compounds Using Cl2/N2/Ar ICP RIE

Acte de colloque

B. Adelin, Q. Gaimard, A. Larrue, A. Lecestre, P. Dubreuil, Y. Rouillard, G. Boissier, A. Vicet, Antoine Monmayrant et Olivier Gauthier-Lafaye

MNE 2014 (Lausanne, Switzerland, 2014)

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Titre: Dry Etching of High [Al] AlGaAsSb Compounds Using Cl2/N2/Ar ICP RIE
Créateurs - sans rôle: B. Adelin
Q. Gaimard - Laboratoire de Photonique et de Nanostructures
A. Larrue - Institute of Biomedical Engineering [Oxford]
A. Lecestre
P. Dubreuil
Y. Rouillard - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IES
G. Boissier - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IES
A. Vicet - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IES
Antoine Monmayrant
Olivier Gauthier-Lafaye - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IES
Colloque: MNE 2014 (Lausanne, Switzerland, 2014)
Identifiants: 9943025309311
Unité académique: Institut d'Electronique et des Systèmes - IES
Langue: English
Type de ressource: Conference proceeding
Champs locaux: hal-01798068