Dry Etching of High [Al] AlGaAsSb Compounds Using Cl 2 /N 2 /Ar ICP RIE

Brice Adelin; Quentin Gaimard; Alexandre Larrue; Aurélie Lecestre; Pascal Dubreuil; Yves Rouillard; Guilhem Boissier; Aurore Vicet; Antoine Monmayrant; Olivier Gauthier-Lafaye

Dry Etching of High [Al] AlGaAsSb Compounds Using Cl 2 /N 2 /Ar ICP RIE

Acte de colloque

Open Access

Dry Etching of High [Al] AlGaAsSb Compounds Using Cl 2 /N 2 /Ar ICP RIE

Brice Adelin, Quentin Gaimard, Alexandre Larrue, Aurélie Lecestre, Pascal Dubreuil, Yves Rouillard, Guilhem Boissier, Aurore Vicet, Antoine Monmayrant et Olivier Gauthier-Lafaye

International Conference on Micro and Nano Engineering ( MNE ) 2014 (Lausanne, Switzerland, 22/09/2014–26/09/2014)

Résumé

Deep dry etching of shallow features in high Al content AlGaAsSb can be achieved using Cl2/N2/Archemistries. Good performances are achieved provided that the etching regime (ICP or RIE) is chosen inaccordance with the designed geometry and aspect ratio, and devices with good opto-electricalperformances were fabricated.

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Détails

Titre: Dry Etching of High [Al] AlGaAsSb Compounds Using Cl 2 /N 2 /Ar ICP RIE
Créateurs - sans rôle: Brice Adelin - Laboratoire d'Analyse et d'Architecture des Systèmes
Quentin Gaimard - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IES
Alexandre Larrue - Laboratoire d'Analyse et d'Architecture des Systèmes
Aurélie Lecestre - Laboratoire d'Analyse et d'Architecture des Systèmes
Pascal Dubreuil - Laboratoire d'Analyse et d'Architecture des Systèmes
Yves Rouillard - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IES
Guilhem Boissier - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IES
Aurore Vicet - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IES
Antoine Monmayrant - Laboratoire d'Analyse et d'Architecture des Systèmes
Olivier Gauthier-Lafaye - Laboratoire d'Analyse et d'Architecture des Systèmes
Colloque: International Conference on Micro and Nano Engineering ( MNE ) 2014 (Lausanne, Switzerland, 22/09/2014–26/09/2014)
Identifiants: 9938886709311
Unité académique: Institut d'Electronique et des Systèmes - IES
Langue: English
Type de ressource: Conference proceeding
Champs locaux: hal-01102417