- Titre
- Drain current noise in GaN MOSFETs at THz generation conditions
- Créateurs - sans rôle
- V. Gruzinskis - Center for Physical Sciences and TechnologyP. Shiktorov - Institute of Semiconductor PhysicsE. Starikov - Institute of Semiconductor PhysicsH. Marinchio - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IESC. Palermo - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IESL. Varani - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IES
- Détails de publication
- Proc. of 2015 International Conference on Noise and Fluctuations (ICNF), pp.1-4
- Colloque
- 2015 International Conference on Noise and Fluctuations (ICNF) (Xian, China, 02/06/2015–06/06/2015)
- Publications en série
- Proc. of 2015 International Conference on Noise and Fluctuations (ICNF)
- Identifiants
- 9944920609311
- Unité académique
- Institut d'Electronique et des Systèmes - IES
- Langue
- English
- Type de ressource
- Conference proceeding
- Champs locaux
- hal-02055358
Acte de colloque
Drain current noise in GaN MOSFETs at THz generation conditions
Proc. of 2015 International Conference on Noise and Fluctuations (ICNF), pp.1-4
Proc. of 2015 International Conference on Noise and Fluctuations (ICNF)
2015 International Conference on Noise and Fluctuations (ICNF) (Xian, China, 02/06/2015–06/06/2015)
2015
Indicateurs
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