- Titre
- Dose and Dose Rate Effects on NPN Bipolar Junction Transistors Irradiated at High Temperature
- Créateurs - sans rôle
- J. Boch - Centre de Recherche en Sciences et Technologies de l'Information et de la CommunicationFrédéric Saigné - Centre de Recherche en Sciences et Technologies de l'Information et de la CommunicationT. MaurelL. Dusseau - Centre d'Electronique et de Micro-optoélectronique de MontpellierF. GiustinoR.D. Schrimpf - Vanderbilt UniversityK.F. GallowayJ.P. David - ONERA - The French Aerospace Lab [Toulouse]R. Ecoffet - Centre National d'Études SpatialesJ. Gasiot - Centre d'Electronique et de Micro-optoélectronique de Montpellier
- Colloque
- 6th European Conference on Radiation and its Effects on Components and Systems (Grenoble, France, 2001)
- Identifiants
- 9939162409311
- Unité académique
- Université de Montpellier
- Langue
- English
- Type de ressource
- Conference proceeding
- Champs locaux
- hal-01804822
Acte de colloque
Dose and Dose Rate Effects on NPN Bipolar Junction Transistors Irradiated at High Temperature
6th European Conference on Radiation and its Effects on Components and Systems (Grenoble, France, 2001)
Indicateurs
1 Consultations de la notice