Résumé
The effect of dose on MOS transistors is investigated for irradiation performed at low temperatures. Degradation of threshold voltage and drain off-state current is shown and discussed in terms of physical mechanisms.
- Titre
- Dose Response of MOS Transistors Irradiated at Low Temperatures
- Créateurs - sans rôle
- Jason Dardié - Institut d'Électronique et des SystèmesJérôme Boch - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IESAlain Michez - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IESAntoine Touboul - Institut d'Électronique et des SystèmesPhilippe Girones - Direction des EnergiesJean-Roch Vaillé - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IESFrédéric Saigné - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IESFrancoise Bezerra - Centre National d'Études SpatialesJean-Luc Favre - TMI-ORION
- Colloque
- IEEE Nuclear and Space Radiation Effects Conference (NSREC2019) (San Antonio, United States, 08/07/2019–12/07/2019)
- Identifiants
- 9943011109311
- Unité académique
- Institut d'Electronique et des Systèmes - IES
- Langue
- English
- Type de ressource
- Conference proceeding
- Champs locaux
- hal-02307335