Résumé
A thermal annealing approach is applied on irradiated CMOS active pixel sensors to investigate total dose effects and improve device lifetime. Results are discussed and help identified the sensor's sensitive areas.
- Titre
- Dose Effects on CMOS Active Pixel Sensors
- Créateurs - sans rôle
- S. Dhombres - Univ Montpellier, IES, CNRS, UMR UM2, 5214 Pl E Bataillon, F-34095 Montpellier 5, FranceA. Michez - Univ Montpellier, IES, CNRS, UMR UM2, 5214 Pl E Bataillon, F-34095 Montpellier 5, FranceJ. Boch - Univ Montpellier, IES, CNRS, UMR UM2, 5214 Pl E Bataillon, F-34095 Montpellier 5, FranceS. Beauvivre - Systheia, F-34000 Montpellier, FranceJ-R. Vaille - Univ Montpellier, IES, CNRS, UMR UM2, 5214 Pl E Bataillon, F-34095 Montpellier 5, FranceA. D. Touboul - Univ Montpellier, IES, CNRS, UMR UM2, 5214 Pl E Bataillon, F-34095 Montpellier 5, FranceP. C. Adell - Jet Prop Lab, Pasadena, CA USAF. Bezerra - Ctr Natl Etud Spatiales, F-31401 Toulouse, FranceE. Lorfevre - Ctr Natl Etud Spatiales, F-31401 Toulouse, FranceD. Kraehenbuehl - Systheia, F-34000 Montpellier, FranceF. Saigne - Univ Montpellier, IES, CNRS, UMR UM2, 5214 Pl E Bataillon, F-34095 Montpellier 5, FranceIEEE
- Détails de publication
- 2015 15TH EUROPEAN CONFERENCE ON RADIATION AND ITS EFFECTS ON COMPONENTS AND SYSTEMS (RADECS)
- Éditeur
- IEEE
- Nombre de pages
- 3
- Identifiants
- 99162743909311
- Unité académique
- Institut d'Electronique et des Systèmes - IES
- Langue
- English
- Type de ressource
- Conference proceeding