- Titre
- Direct MBE growth of GaSb on Ge, Ge-on-Si and Ge-on-SiGe-on-Si platforms for integrated mid-infrared photonics
- Créateurs - sans rôle
- M Silvestre - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IESS Lacaze - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IESA Gilbert - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IESA de Cerdeira Oliveira - Politecn Milan, LNESS Dipartimento Fis, I-22100 Como, ItalyD Impelluso - Politecn Milan, LNESS Dipartimento Fis, I-22100 Como, ItalyG Isella - Politecn Milan, LNESS Dipartimento Fis, I-22100 Como, ItalyJ-B Rodriguez - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IESE Tournié - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IES
- Colloque
- EUROMBE 2025 (Saint-Etienne-de-Tinée (06660), France, 09/03/2025–13/03/2025)
- Identifiants
- 9937496709311
- Unité académique
- Institut d'Electronique et des Systèmes - IES
- Langue
- English
- Type de ressource
- Conference proceeding
- Champs locaux
- hal-04992077
Acte de colloque
Direct MBE growth of GaSb on Ge, Ge-on-Si and Ge-on-SiGe-on-Si platforms for integrated mid-infrared photonics
EUROMBE 2025 (Saint-Etienne-de-Tinée (06660), France, 09/03/2025–13/03/2025)
Indicateurs
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