Dilute aluminum concentration in 4H-SiC : from SIMS to LTPL measurements

Acte de colloque

Sandrine Juillaguet, M. Zielinski, C. Balloud, C. Sartel, Christophe Consejo, B. Boyer, V. Souliere, Jean Camassel et Y. Monteil

SILICON CARBIDE AND RELATED MATERIALS 2003, PTS 1 AND 2, Vol.457-460, p.775-778

10th International Conferece on Silicon Carbide and Related Materials 2003 (ICSCRM 2003) (Lyon (FRANCE), France, 05/10/2003)

2004

Résumé

4H-SiC

secondary ion mass spectroscopy (SIMS)

aluminum

PHOTOLUMINESCENCE

Dilute aluminum concentration in 4H-SiC : from SIMS to LTPL measurements

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Titre: Dilute aluminum concentration in 4H-SiC : from SIMS to LTPL measurements
Créateurs - sans rôle: Sandrine Juillaguet - Groupe d'étude des semiconducteurs
M. Zielinski
C. Balloud
C. Sartel
Christophe Consejo - Groupe d'étude des semiconducteurs
B. Boyer
V. Souliere
Jean Camassel - Groupe d'étude des semiconducteurs
Y. Monteil
Détails de publication: SILICON CARBIDE AND RELATED MATERIALS 2003, PTS 1 AND 2, Vol.457-460, p.775-778
Colloque: 10th International Conferece on Silicon Carbide and Related Materials 2003 (ICSCRM 2003) (Lyon (FRANCE), France, 05/10/2003)
Identifiants: 9943278809311
Unité académique: Laboratoire Charles Coulomb - L2C
Langue: Anglais
Type de ressource: Acte de colloque
Champs locaux: hal-00543756