Deep etching high aspect ratio in GaInAsSb/AlGaAsSb sector by ICP-RIE plasma B

Acte de colloque

B. Adelin, A. Larrue, Olivier Gauthier-Lafaye, Antoine Monmayrant, A. Lecestre, P. Dubreuil, Y. Rouillard, G. Boissier et A. Vicet

PESM 2014 (Grenoble, France, 2014)

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Titre: Deep etching high aspect ratio in GaInAsSb/AlGaAsSb sector by ICP-RIE plasma B
Créateurs - sans rôle: B. Adelin
A. Larrue - Institute of Biomedical Engineering [Oxford]
Olivier Gauthier-Lafaye
Antoine Monmayrant
A. Lecestre
P. Dubreuil
Y. Rouillard - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IES
G. Boissier - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IES
A. Vicet - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IES
Colloque: PESM 2014 (Grenoble, France, 2014)
Identifiants: 9943025009311
Unité académique: Institut d'Electronique et des Systèmes - IES
Langue: English
Type de ressource: Conference proceeding
Champs locaux: hal-01798059