- Titre
- Deep Levels induced by a negative bias stress applied on commercial VDMOSFET transistor
- Créateurs - sans rôle
- N. Abboud - Applied Physics Laboratory [Beirut]R. Habchi - Laboratoire des Dispositifs micro-ondes et RadiofréquencesY. Cuminal - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IESA. Foucaran - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IESC. Salame - Lebanese University
- Colloque
- Abstracts of the Materials Research Society spring meeting (MRS) (San Francisco, United States, 2011)
- Identifiants
- 9942446909311
- Unité académique
- Institut d'Electronique et des Systèmes - IES
- Langue
- English
- Type de ressource
- Conference proceeding
- Champs locaux
- hal-01796924
Acte de colloque
Deep Levels induced by a negative bias stress applied on commercial VDMOSFET transistor
Abstracts of the Materials Research Society spring meeting (MRS) (San Francisco, United States, 2011)
Indicateurs
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