- Titre
- Conception and Fabrication of InAs-based Hot Electron Transistor
- Créateurs - sans rôle
- T. DaoudG. Boissier - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IESJ. Devenson - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IESG. Sabatini - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IESL. Varani - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IESA. N. Baranov - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IESR. Teissier - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IES
- Colloque
- IPRM08 - 20th Indium Phosphide and Related Materials Conference (Versailles, France, 2008)
- Identifiants
- 9945212309311
- Unité académique
- Institut d'Electronique et des Systèmes - IES
- Langue
- English
- Type de ressource
- Conference proceeding
- Champs locaux
- hal-01826469
Acte de colloque
Conception and Fabrication of InAs-based Hot Electron Transistor
IPRM08 - 20th Indium Phosphide and Related Materials Conference (Versailles, France, 2008)
Indicateurs
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