- Titre
- Comparison of NMOS and PMOS transistor sensitivity to SEU in SRAMs studied by device simulation
- Créateurs - sans rôle
- K. Castellani-Coulié - Centre d'Electronique et de Micro-optoélectronique de MontpellierB. Sagnes - Centre d'Electronique et de Micro-optoélectronique de MontpellierFrédéric Saigné - Centre de Recherche en Sciences et Technologies de l'Information et de la CommunicationJ.-M. Palau - Centre d'Electronique et de Micro-optoélectronique de MontpellierM.-C. CalvetP.E. DoddF.W. Sexton
- Colloque
- 40th IEEE Nuclear Space and Radiation Effects Conference (Monterey, United States, 2003)
- Identifiants
- 99153592509311
- Unité académique
- Université de Montpellier
- Langue
- English
- Type de ressource
- Conference proceeding
- Champs locaux
- hal-01806758
Acte de colloque
Comparison of NMOS and PMOS transistor sensitivity to SEU in SRAMs studied by device simulation
40th IEEE Nuclear Space and Radiation Effects Conference (Monterey, United States, 2003)
Indicateurs
1 Consultations de la notice