- Titre
- Comparative study of AlGaAsSb/GaInAsSb multiple quantum wells lasers in the wavelength range between 2 and 3 µm
- Créateurs - sans rôle
- J. Angellier - Centre d'Electronique et de Micro-optoélectronique de MontpellierY. Rouillard - Centre d'Electronique et de Micro-optoélectronique de MontpellierA. Salhi - Centre d'Electronique et de Micro-optoélectronique de MontpellierP. Grech - Centre d'Electronique et de Micro-optoélectronique de MontpellierF. Chevrier - Centre d'Electronique et de Micro-optoélectronique de Montpellier
- Colloque
- 12th International Conference on Narrow Gap Semiconductors (Toulouse, France, 03/07/2005–07/07/2005)
- Identifiants
- 9942411709311
- Unité académique
- Université de Montpellier
- Langue
- English
- Type de ressource
- Conference proceeding
- Champs locaux
- hal-01793910
Acte de colloque
Comparative study of AlGaAsSb/GaInAsSb multiple quantum wells lasers in the wavelength range between 2 and 3 µm
12th International Conference on Narrow Gap Semiconductors (Toulouse, France, 03/07/2005–07/07/2005)
Indicateurs
1 Consultations de la notice