Comparative Study of n-Type 4H-SiC: Raman vs Photoluminescence Spectroscopy

Acte de colloque

Pawel Kwasnicki, Roxana Arvinte, Herve Peyre, Marcin Zielinski et Sandrine Juillaguet

Material Sciences Forum, Vol.821-823, pp.237 - 240

10th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (Grenoble, France, 09/2014)

06/2015

Résumé

Comparative Study of n-Type 4H-SiC: Raman vs Photoluminescence Spectroscopy

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Titre: Comparative Study of n-Type 4H-SiC: Raman vs Photoluminescence Spectroscopy
Créateurs - sans rôle: Pawel Kwasnicki - Université de Montpellier, Laboratoire Charles Coulomb - L2C
Roxana Arvinte - SES (Luxembourg)
Herve Peyre - Université de Montpellier, Laboratoire Charles Coulomb - L2C
Marcin Zielinski - NOVASiC (France)
Sandrine Juillaguet - Université de Montpellier, Laboratoire Charles Coulomb - L2C
Détails de publication: Material Sciences Forum, Vol.821-823, pp.237 - 240
Colloque: 10th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (Grenoble, France, 09/2014)
Identifiants: 9944235109311
Unité académique: Laboratoire Charles Coulomb - L2C
Langue: English
Type de ressource: Conference proceeding
Champs locaux: hal-01936601