- Titre
- Characterization of trench gate IGBT gate oxides submitted to thermo-electric cycling by capacitance-voltage and thermal step measurements
- Créateurs - sans rôle
- S. BaudonL. Boyer - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IESP. Notingher - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IESS. Agnel - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IESV. SmetJ.-J. Huselstein - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IESF. Forest - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IES
- Colloque
- 8th Conference on the French Society of Electrostatics SFE (Cherbourg, France, 2012)
- Identifiants
- 9947708109311
- Unité académique
- Institut d'Electronique et des Systèmes - IES
- Langue
- English
- Type de ressource
- Conference proceeding
- Champs locaux
- hal-01882797
Acte de colloque
Characterization of trench gate IGBT gate oxides submitted to thermo-electric cycling by capacitance-voltage and thermal step measurements
8th Conference on the French Society of Electrostatics SFE (Cherbourg, France, 2012)
Indicateurs
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