- Titre
- Characterization of a Trench-Gated IGBT using the Split C-V Method
- Créateurs - sans rôle
- L. Boyer - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IESP. Notingher - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IESS. Agnel - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IES
- Colloque
- IEEE Applied Power Electronics Conference and Exposition APEC (Washington, United States, 2009)
- Identifiants
- 9947522509311
- Unité académique
- Institut d'Electronique et des Systèmes - IES
- Langue
- English
- Type de ressource
- Conference proceeding
- Champs locaux
- hal-01882197
Acte de colloque
Characterization of a Trench-Gated IGBT using the Split C-V Method
IEEE Applied Power Electronics Conference and Exposition APEC (Washington, United States, 2009)
Indicateurs
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