- Titre
- Characterization, modeling and comparison of 1/f noise in Si/SiGe:C HBTs issued from three advanced BiCMOS technologies
- Créateurs - sans rôle
- M. Seif - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IESF. Pascal - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IESB. Sagnes - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IESJ. Elbeyrouthy - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IESA. Hoffmann - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IESS. Haendler - STMicroelectronics [Crolles]P. Chevalier - STMicroelectronics [Crolles]D. Gloria - STMicroelectronics [Crolles]
- Colloque
- International Conference on Microelectronics (ICM) (Beyrouth, Lebanon, 2017)
- Identifiants
- 9945613609311
- Unité académique
- Institut d'Electronique et des Systèmes - IES
- Langue
- English
- Type de ressource
- Conference proceeding
- Champs locaux
- hal-01907729
Acte de colloque
Characterization, modeling and comparison of 1/f noise in Si/SiGe:C HBTs issued from three advanced BiCMOS technologies
International Conference on Microelectronics (ICM) (Beyrouth, Lebanon, 2017)
Indicateurs
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