- Titre
- Carrier recombination dynamics and internal electric fields in GaN/AlN self-organized quantum dots.
- Créateurs - sans rôle
- Pierre Lefebvre - Groupe d'étude des semiconducteursThierry Bretagnon - Groupe d'étude des semiconducteursThierry Taliercio - Groupe d'étude des semiconducteursThierry Guillet - Groupe d'étude des semiconducteursBernard Gil - Groupe d'étude des semiconducteursNicolas Grandjean - SES (Luxembourg)Fabrice Semond - SES (Luxembourg)Benjamin Damilano - SES (Luxembourg)Amélie Dussaigne - SES (Luxembourg)Jean Massies - SES (Luxembourg)
- Colloque
- 6th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS6). (Brème, Germany, 28/08/2006–02/09/2006)
- Note de subvention
- Action Concertée Incitative (ACI) du MENRT "BUGATI".
- Identifiants
- 99150553609311
- Unité académique
- Université de Montpellier
- Langue
- English
- Type de ressource
- Conference proceeding
- Champs locaux
- hal-01309937
Acte de colloque
Carrier recombination dynamics and internal electric fields in GaN/AlN self-organized quantum dots.
6th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS6). (Brème, Germany, 28/08/2006–02/09/2006)
Indicateurs
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