Caractérisation de diodes pin à base de carbure de silicium de polytype 4H par spectroscopie Raman et photoémission

Aurélie Thuaire; Michel Mermoux; Alexandre Crisci; Nicolas Camara; Edwige Bano; Francis Baillet; E. Pernot

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Acte de colloque

Caractérisation de diodes pin à base de carbure de silicium de polytype 4H par spectroscopie Raman et photoémission

Aurélie Thuaire, Michel Mermoux, Alexandre Crisci, Nicolas Camara, Edwige Bano, Francis Baillet et E. Pernot

Caractérisation de diodes pin à base de carbure de silicium de polytype 4H par spectroscopie Raman et photoémission

Colloque du Groupement Français de Spectroscopie Vibrationnelle (GFSV), thème 2005: Imagerie et Cartographie en Spectroscopie Vibrationnelle, Ecole de Physique des Houches

2005

Résumé

Engineering Sciences

Micro and nanotechnologies

Microelectronics

Indicateurs

1 Consultations de la notice

Détails

Titre: Caractérisation de diodes pin à base de carbure de silicium de polytype 4H par spectroscopie Raman et photoémission
Créateurs - sans rôle: Aurélie Thuaire
Michel Mermoux
Alexandre Crisci
Nicolas Camara
Edwige Bano - Institut de Microélectronique, Electromagnétisme et Photonique
Francis Baillet
E. Pernot
Détails de publication: Caractérisation de diodes pin à base de carbure de silicium de polytype 4H par spectroscopie Raman et photoémission
Colloque: Colloque du Groupement Français de Spectroscopie Vibrationnelle (GFSV), thème 2005: Imagerie et Cartographie en Spectroscopie Vibrationnelle, Ecole de Physique des Houches
Éditeur: XX
Identifiants: 99162625109311
Unité académique: Institut d'Electronique et des Systèmes - IES
Langue: English
Type de ressource: Conference proceeding