- Titre
- Band gap discontinuities in GaInAsSb/Al(In)GaASb quantum wells being the active region of mid infrared lasers
- Créateurs - sans rôle
- M. MotykaG. SękK. Ryczko - Wroclaw University of Science and TechnologyF. JaniakJ. Misiewicz - Institute of PhysicsS. Belahsene - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IESG. Boissier - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IESY. Rouillard - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IES
- Colloque
- 14th International Conference on Narrow Gap Semiconductors and Systems (Sendai, Japan, 2009)
- Identifiants
- 9943132209311
- Unité académique
- Institut d'Electronique et des Systèmes - IES
- Langue
- English
- Type de ressource
- Conference proceeding
- Champs locaux
- hal-01798442
Acte de colloque
Band gap discontinuities in GaInAsSb/Al(In)GaASb quantum wells being the active region of mid infrared lasers
14th International Conference on Narrow Gap Semiconductors and Systems (Sendai, Japan, 2009)
Indicateurs
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