- Titre
- Antimonide-based optoelectronic devices epitaxially grown on Silicon
- Créateurs - sans rôle
- E. Tournié - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IESL. Cerutti - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IESJ.-B. Rodriguez - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IESJ.-P. Perez - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IESA. N. Baranov - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IESR. Teissier - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IES
- Colloque
- International nano-optoelectronics workshop (iNOW 2018) (Berkeley, United States, 2018)
- Identifiants
- 9945638609311
- Unité académique
- Institut d'Electronique et des Systèmes - IES
- Langue
- English
- Type de ressource
- Conference proceeding
- Champs locaux
- hal-02078268
Acte de colloque
Antimonide-based optoelectronic devices epitaxially grown on Silicon
International nano-optoelectronics workshop (iNOW 2018) (Berkeley, United States, 2018)
Indicateurs
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