- Titre
- Antimonide-based compound semiconductors and devices grown by molecular beam epitaxy
- Créateurs - sans rôle
- E. Tournié - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IESL. Cerutti - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IESG. Boissier - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IESY. Rouillard - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IESA. N. Baranov - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IESJ.P. Perez - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IESJean-Baptiste Rodriguez - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IES
- Colloque
- 17th Euro-Molecular Beam Epitaxy (Euro-MBE) (Levi, Finland, 2013)
- Identifiants
- 9943314209311
- Unité académique
- Institut d'Electronique et des Systèmes - IES
- Langue
- English
- Type de ressource
- Conference proceeding
- Champs locaux
- hal-01797215
Acte de colloque
Antimonide-based compound semiconductors and devices grown by molecular beam epitaxy
17th Euro-Molecular Beam Epitaxy (Euro-MBE) (Levi, Finland, 2013)
Indicateurs
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