- Titre
- Anti-phase boundary free GaSb layers grown on (001)-Si substrates by Metal Organic Chemical Vapor Deposition
- Créateurs - sans rôle
- T. Cerba - Laboratoire des Technologies de la MicroélectroniqueM. Martin - Laboratoire des Technologies de la MicroélectroniqueJ. Moeyaert - Laboratoire des Technologies de la MicroélectroniqueS. David - Laboratoire des Technologies de la MicroélectroniqueJ.-L. RouvièreL. Cerutti - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IESR. Alcotte - Laboratoire des Technologies de la MicroélectroniqueJ.-B. Rodriguez - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IESH. Boutry - Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies AlternativesF. Bassani - Laboratoire des Technologies de la MicroélectroniqueY. Bogumilowicz - Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies AlternativesE. Tournié - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IEST. Baron - Laboratoire des Technologies de la Microélectronique
- Colloque
- 17th European Workshop on Metalorganic Vapour Phase Epitaxy (EW-MOVPE17) (grenoble, France, 2017)
- Identifiants
- 99110736409311
- Unité académique
- Institut d'Electronique et des Systèmes - IES
- Langue
- English
- Type de ressource
- Conference proceeding
- Champs locaux
- hal-01891389
Acte de colloque
Anti-phase boundary free GaSb layers grown on (001)-Si substrates by Metal Organic Chemical Vapor Deposition
17th European Workshop on Metalorganic Vapour Phase Epitaxy (EW-MOVPE17) (grenoble, France, 2017)
Indicateurs
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