- Titre
- Analytical modelling of Multiple-gate MOSFETs
- Créateurs - sans rôle
- R. Ritzenthaler - Universitat Rovira i VirgiliF. Lime - Universitat Rovira i VirgiliB. Iñiguez - Universitat Rovira i VirgiliE. Miranda - Université de MontpellierFrédéric Martinez - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IESF. Pascal - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IESM. Valenza - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IESO. Faynot - CEA GrenobleS. Cristoloveanu - Institut de Microélectronique, Electromagnétisme et Photonique
- Détails de publication
- 2011 Spanish Conference on Electron Devices (CDE), pp.1-4
- Colloque
- 2011 Spanish Conference on Electron Devices (CDE) (Palma de Mallorca, Spain, 08/02/2011–11/02/2011)
- Identifiants
- 9935261709311
- Unité académique
- Institut d'Electronique et des Systèmes - IES
- Langue
- English
- Type de ressource
- Conference proceeding
- Champs locaux
- hal-02066666
Acte de colloque
Analytical modelling of Multiple-gate MOSFETs
2011 Spanish Conference on Electron Devices (CDE), pp.1-4
2011 Spanish Conference on Electron Devices (CDE) (Palma de Mallorca, Spain, 08/02/2011–11/02/2011)
Indicateurs
1 Consultations de la notice