Analysis of short-term NBTI effect on the Single-Event Upset sensitivity of a 65nm SRAM using two-photon absorption

I. El Moukhtari; V. Pouget; F. Darracq; C. Larue; P. Perdu; D. Lewis

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Acte de colloque

Analysis of short-term NBTI effect on the Single-Event Upset sensitivity of a 65nm SRAM using two-photon absorption

I. El Moukhtari, V. Pouget, F. Darracq, C. Larue, P. Perdu et D. Lewis

IEEE

IEEE RADECS (Oxford, United Kingdom, 2013)

Résumé

We used two-photon absorption laser testing to characterize the effect of short-term NBTI aging on the SEU sensitivity of 65 nm CMOS SRAM cell. Results indicate a fast increase of SEU sensitivity due to aging.

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Détails

Titre: Analysis of short-term NBTI effect on the Single-Event Upset sensitivity of a 65nm SRAM using two-photon absorption
Créateurs - sans rôle: I. El Moukhtari - Laboratoire de l'Intégration du Matériau au Système
V. Pouget - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IES
F. Darracq - Laboratoire de l'Intégration du Matériau au Système
C. Larue - PULSCAN
P. Perdu - Centre National d'Études Spatiales
D. Lewis - Laboratoire de l'Intégration du Matériau au Système
Détails de publication: IEEE
Colloque: IEEE RADECS (Oxford, United Kingdom, 2013)
Identifiants: 9936794309311
Unité académique: Institut d'Electronique et des Systèmes - IES
Langue: English
Type de ressource: Conference proceeding
Champs locaux: hal-01935693